中頻感應加熱設備作為目前較為環(huán)保節(jié)能的設備，受到了廣大客戶的歡迎。我們一直說我們的中頻感應加熱設備采用IGBT固態(tài)逆變技術，高效節(jié)能，輸出功率大，具有很多的優(yōu)勢。IGBT我們經常會聽到，但是我們很少去了解它，甚至于連IGBT的特性我們都不了解，今天，我們就說一下IGBT的特性。

IGBT是雙極型晶體管和MOSFET晶體管的復合。雙極型晶體管飽和壓降低、載流密度大，但驅動電流也大。MOSFET為電壓驅動型，故流密度小、開關速度快，但導通壓降大。IGBT則綜合了兩種器件的優(yōu)點，成為驅動功率小且飽和壓降低的新型器件。

1.IGBT的轉移特性和輸出特性特別的好

2.IGBT的開關特性 同MOSFET一樣，當工作在高頻開關狀態(tài)時，必須要考慮極間電容的影響。由于IGBT為電壓驅動型，具有驅動功率小、開關速度快、飽和壓降低，可承受高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，綜合性能好，已成為當前應用較為廣泛的功率半導體器件。

了解了IGBT的轉移特性、輸出特性以及開關特性，相信現在您對IGBT有了深刻的了解。鄭州高氏是專門生產中頻感應加熱設備的廠家，設備采用的就是IGBT模塊，擁有很多的優(yōu)勢。如果您想了解這種設備，可以來電咨詢。